Číslo produktu výrobce:
TSM60NB600CH C5G
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM60NB600CH C5G-DG
Popis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventář:
12898747
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM60NB600CH C5G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
516 pF @ 100 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
63W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-251 (IPAK)
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
TSM60
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
TSM60NB600CHC5G
TSM60NB600CH C5G-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TSM60NB600CH
VÝROBCE
Taiwan Semiconductor Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
TSM60NB600CH-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.43
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IPS80R600P7AKMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IPS80R600P7AKMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.69
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
BS107PSTOA
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
TSM60NB260CI C0G
MOSFET N-CH 600V 13A ITO220AB
TSM7N65ACI C0G
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220AB
